1996 Jul 30
6
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors BF245A; BF245B; BF245C
handbook, halfpage30
02010
0
VDS
(V)
0 50 150100
Tj
(
°C)
ID
(mA)
0
MBH554
20
10
VGS
= 0 V
?1 V
?2 V
?3 V
?4 V
Fig.8 Output characteristics for BF245C;
typical values.
VDS
=15V; Tj
=25?C.
Fig.9 Drain current as a function of junction
temperature; typical values for BF245A.
VDS
=15V.
handbook, halfpage4
ID
(mA)
3
1
2
MGE775
?0.5 V
VGS = 0 V
?1.5 V
?1 V
Fig.10 Drain current as a function of junction
temperature; typical values for BF245B.
handbook, halfpage15
0
0 50 150100
Tj
(
°C)
5
10
MGE776
ID
(mA)
VGS
= 0 V
?2 V
?1 V
VDS
=15V.
Fig.11 Drain current as a function of junction
temperature; typical values for BF245C.
VDS
=15V.
handbook, halfpage20I
D
0
0
50
150
MGE779
100
4
8
12
16
Tj
(
°C)
(mA)
VGS
= 0 V
?4 V
?2 V
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